氧化亚铜是一种性能优异的p型半导体材料，其带隙宽度与可见光波长范围相对应，适合被太阳光直接激发而具有光催化和光电特性，非常具有应用潜力。但是氧化亚铜基光催化和光电器件并没有得到普遍应用，原因是受现有方法和工艺的限制,氧化亚铜的制备成本难以降低、制备过程较为繁复，加之本身量子效率不高，实际性能很难令人满意。因此，探索和丰富氧化亚铜的制备手段，并研究制备工艺与氧化亚铜自身属性和应用性能之间的关系,对于拓展氧化亚铜基光催化和光伏材料的应用以及能源产业的优化都具有重要的意义。

从理论上讲，氧化亚铜的量子效率可以通过两种方式提高，一是通过利用异质结之间的势垒来对光生电子-空穴对实现有效分离，二是减小氧化亚铜的晶粒尺寸来阻碍光生电子-空穴对的复合。